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絕緣材料的抗電壓擊穿強度試驗的核心原理?

更新時間:2025-12-17      點擊次數(shù):76

絕緣材料的抗電壓擊穿強度試驗,其核心原理是:在受控條件下,對試樣施加逐步升高的電場,直到材料發(fā)生不可逆的電氣擊穿;記錄擊穿瞬間的電壓值,結(jié)合試樣厚度算出介電強度 Eb=Ub/d,作為材料耐高壓能力的量化指標(biāo)。

專業(yè)術(shù)語拆解如下:

1. 介電強度(Dielectric Strength)  

   定義:材料在不發(fā)生擊穿的前提下所能承受的zui大電場強度,單位 kV·mm?1。  

   物理意義:反映材料本征的耐電極限,數(shù)值越高越不易被高壓擊穿。

2. 擊穿電壓(Breakdown Voltage, Ub)  

   定義:在規(guī)定電極形狀、升壓速率與環(huán)境條件下,使試樣出現(xiàn)貫穿性導(dǎo)電通道的zui低電壓。  

   判定標(biāo)志:電流驟升(一般設(shè)定閾值 1 mA10 mA)、電壓陡降、可觀察電弧或聲響。

3. 電場分布與邊緣效應(yīng)  

   理想模型假設(shè)平行板電極內(nèi)為均勻電場,實際由于電極邊緣曲率會出現(xiàn)場強集中。現(xiàn)代測試需借助有限元仿真對“邊緣擊穿"進行修正,以獲得真實體擊穿數(shù)據(jù)。

4. 主要擊穿機理  

   - 本征擊穿:強場下電子獲能發(fā)生雪崩式碰撞電離,形成“電子雪崩"導(dǎo)電通道。  

   - 熱擊穿:介質(zhì)損耗發(fā)熱速率 > 散熱速率 → 溫度上升 → 電阻下降 → 正反饋導(dǎo)致熔化、碳化。  

   - 局部放電擊穿:內(nèi)部缺陷(氣泡、雜質(zhì))或界面處先出現(xiàn)非貫穿放電,長期侵蝕后貫穿整體。  

   - 表面閃絡(luò):擊穿沿材料-空氣界面發(fā)生,與濕度、污染、爬電距離相關(guān);測試時常把樣品浸在絕緣油中以抑制閃絡(luò),提高數(shù)據(jù)重復(fù)性。

5. 試驗方式(IEC 60243-1 / ASTM D149 / GB/T 1408.1)  

   - 短時(快速)升壓:恒定速率 0.25 kV·s?1 直至擊穿,用于常規(guī)質(zhì)檢。  

   - 步進升壓:每級保持 13 min,再升一級;更易暴露熱弱點。  

   - 耐壓法:在預(yù)定電壓維持規(guī)定時間,觀察是否擊穿,用于老化篩選。

6. 電極系統(tǒng)與樣品要求  

   常用球-板或柱-柱電極,邊緣需倒圓;樣品厚度 0.11 mm,直徑 ≥ 電極直徑 + 30 mm;測試前需干燥、清潔、無氣泡,以消除水分和缺陷帶來的提前擊穿。

7. 數(shù)據(jù)離散與統(tǒng)計處理  

   由于微觀缺陷隨機分布,擊穿強度呈統(tǒng)計分散,通常需 510 個有效樣本,用 Weibull 分布提取特征強度 E? 和形狀參數(shù) β,為絕緣設(shè)計提供概率化安全裕度。


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